HYB25D512800CE-6
Número de pieza:
HYB25D512800CE-6
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Encapsulado:
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1500
Cant.
Precio
Total
1500+
$9.8
$14700
Estado de la Pieza
Discontinued at
Tipo de Montaje
Surface Mount
Temperatura de Operación
0°C ~ 70°C (TA)
Programmable
Not Verified
Tipo de Memoria
Volatile
Interfaz de Memoria
Parallel
Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página
-
Voltaje - Alimentación
2.3V ~ 2.7V
Frecuencia de Reloj
166 MHz
Tamaño de la Memoria
512Mbit
Organización de la Memoria
64M x 8
Formato de Memoria
DRAM
Tecnología
SDRAM - DDR
Paquete / Carcasa
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Proveedor Dispositivo Paquete
66-TSOP II
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